QT2型晶体管特性图示仪销售维修

• QT2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数。
• 最大集电极电流可达50A，基本满足500W以下的半导体管的测试。
• 具备高压测试能力，可对3KV(5KV)\以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，其测试电流最高灵敏度可达到0.5uA/每格。
• 基极阶梯信号具有脉冲阶梯输出，可测量二次击穿特性。
• 特点：适合于大功率器件测试, 比如：IGBT模块测试、MOS管测试、等等。也很适合高反压元器件反向击穿电压测试。
• QT2说明书和电路图纸下载

集电极扫描信号 (输出电压范围/电流容量)
三极管和二极管
 0～10V / 50A (脉冲阶梯) 20A(平均值)
 0～50V / 10A (平均值)
 0～100V / 5A (平均值)
 0～500V / 0.5A (平均值)
二极管击穿电压测试
 0～5KV(3KV) / 5mA (最大)

基极阶梯信号

• 阶梯电流:1uA～200mA/级，分17档
• 阶梯电压:0.05～1V/级，分5档
• 阶梯波形:正常(100%)，脉冲(10～40%)

Y轴

• 集电极电流:1uA～5A/每格，分21档
• 二极管电流:1～500uA/每格，分9档
• 集电极及二极管电流倍率: ×0.5

X轴

• 集电极电压:10mV～50V/每格，分12档
• 二极管电流:100～500V/每格，分3档
• 基电极电压:10mV～1V/每格，分7档

一般性能

• 有效显示面10×10格(1格=0.8cm)
• 视在功率 约80VA
• 约300VA(最大功率)
• 外形尺寸 30×40×52cm
• 重量约30kg

反向击穿电压测试

• VCBO 集电极 - 基极 (发射极开路)
• VEBO 发射极 - 基极 (集电极开路)
• VCEO 集电极 - 发射极 (基极开路)
• VCER 集电极 - 发射极 (基极与发射极间电阻连接)
• VCES 集电极 - 发射极 (基极与发射极短路)

各种特性曲线

• V_CE - I_C 共发射极 (基极信号为变量)
• I_B - I_C 共发射极
• V_BE - I_B 共发射极
• V_BE - I_O 共发射极

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